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可控硅光耦合器
| 參數 | 參數值 |
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| 商品目錄 | 可控硅光耦合器 |
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| 封裝/外殼 | 7.64*7.62*9.4 |
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| 電壓 | 5V |
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| 介質耐壓 | 5000Vrms |
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| 工作溫度 | -30~85℃ |
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| 斷態臨界電壓上升率 | ≥200V/us |
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| 觸發類型 | 非過零型 |
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| 通態有效電流 | 0.9A |
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| 斷態峰值電壓 | 600V |
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| 封裝/外殼 | DIP8 |
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